河源干式变压器，电阻，电容，MOSFET主要特性参数

河源干式变压器器的主要参数

河源干式变压器器的主要参数有河源干式变压器量、允许偏差、品质因数、分布电容和额定电流等。

1、河源干式变压器量:河源干式变压器量也称自感系数，是表示河源干式变压器器产生自感应能力的一个物理量。

河源干式变压器器河源干式变压器量的大小，主要取决于线圈的圈数（匝数）、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，河源干式变压器量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈河源干式变压器量大；磁心导磁率越大的线圈，河源干式变压器量也越大。

2、允许偏差:允许偏差是指河源干式变压器器上标称的河源干式变压器量与实际河源干式变压器的允许误差值。

一般用于振荡或等电路中的河源干式变压器器要求精度较，允许偏差为±0.5%~±10%；而用于耦合、频阻流等线圈的精度要求不；允许偏差为±15%~30%。

3、品质因数:品质因数也称Q值或优值，是衡量河源干式变压器器质量的主要参数。它是指河源干式变压器器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。河源干式变压器器的Q值越，其损耗越小，效率越。河源干式变压器器品质因数的低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。

4、分布电容:分布电容是指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。河源干式变压器器的分布电容越小，其稳定性越好。

5、额定电流:额定电流是指河源干式变压器器有正常工作时反允许通过的最大电流值。若工作电流超过额定电流，则河源干式变压器器就会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。

电容的主要特性参数

电容的主要参数有电容容值，允许误差，额定工作电压，温度系数等

1、容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围，一般分为±5%，±10%，±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

2、额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越，体积越大。

3、温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

4、绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。

5、损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

MOSFET的主要特性参数

“MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或 SiN)及半导体三种材料制成的器件

MOSFET的主要参数有I_{D,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on),VGS(th)等}

1、I_{D：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。}

2、I_{DM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。}

3、V_{GS：最大栅源电压。}

4、V_{(BR)DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。}

5、R_{DS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。}

6、V_{GS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。}

7、P_{D：最大耗散。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。}

8、T_{j：最大工作结温。通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。}

MOSFET 与双极型相比具有如下特点：

1、MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；

2、输入阻抗；

3、工作频率范围宽，速度(时间为几十纳秒到几百纳秒)，损耗小；

4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极；噪声也小，最合适制作 Hi-Fi 音响；

5、 MOSFET 可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。